Zařízení založená na širokém pásmu: Vydání: 1. vydání: Návrh, výroba a aplikace

Původní název:

Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications

Obsah knihy:

Nové polovodiče se širokým pásmem (WBG) mají potenciál posunout světový průmysl stejně jako před více než 50 lety vynález křemíkového (Si) čipu, který umožnil vznik moderní počítačové éry. Zařízení na bázi SiC a GaN začínají být komerčně dostupnější.

Tato zařízení WBG jsou menší, rychlejší a účinnější než jejich protějšky na bázi Si a nabízejí také větší očekávanou spolehlivost v náročnějších provozních podmínkách. V tomto rámci navíc vznikla nová třída polovodičových materiálů mikroelektronické kvality, které mají ještě větší pásmovou mezeru než dosud zavedené širokopásmové polovodiče, jako jsou GaN a SiC, a jsou proto označovány jako materiály s "ultraširokopásmovou mezerou". Tyto materiály, mezi něž patří AlGaN, AlN, diamant, Ga2O3 a BN, nabízejí teoreticky lepší vlastnosti, včetně vyššího kritického průrazného pole, vyšší teploty provozu a potenciálně vyšší odolnosti vůči záření.

Tyto vlastnosti následně umožňují použití nových revolučních zařízení pro extrémní prostředí, jako jsou vysoce účinné výkonové tranzistory díky lepšímu Baligově číslu, ultravysokonapěťové pulzní výkonové spínače, vysoce účinné UV-LED a elektronika. Cílem tohoto zvláštního čísla je shromáždit vysoce kvalitní výzkumné práce, krátká sdělení a přehledové články, které se zaměřují na návrh, výrobu a pokročilou charakterizaci zařízení se širokým pásmem.

Ve zvláštním čísle budou také publikovány vybrané příspěvky ze 43. semináře o polovodičových zařízeních a integrovaných obvodech, který se koná ve Francii (WOCSDICE 2019) a na kterém se setkávají vědci a inženýři pracující v oblasti III-V a dalších polovodičových zařízení a integrovaných obvodů.

Zejména se jedná o následující témata: - zařízení na bázi GaN a SiC pro výkonové a optoelektronické aplikace - vývoj substrátu Ga2O3 a růst, dopování a zařízení tenkých vrstev Ga2O3 - nové materiály a zařízení na bázi AlN - epitaxiální růst, charakterizace a zařízení BN.