3D TCAD simulace pro CMOS nanoelektronická zařízení

Recenze čtenářů

Aktuálně nejsou k dispozici žádné recenze čtenářů. Hodnocení je založeno na 2 hlasů.

Původní název:

3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices

Obsah knihy:

Představení operačního rozhraní a nástrojů softwarového prostředí Synopsys Sentaurus TCAD verze 2014.

- Simulační analýza 2D MOSFETu. - Simulační analýza 3D FinFET s LG = 15 nm.

- Simulační analýza měniče a paměti SRAM 3D FinFET s LG = 15 nm. - Simulační analýza GAA NWFET. - Simulační analýza bezspojového FETu s LG = 10 nm.

- Simulační analýza tunelového FETu. - Simulační analýza Si a Ge 3D FinFET s LG = 3 nm.